本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
DRAM库存创历史新低，HBM短缺推动价格上涨，分析师预测2027年将迎来周期高峰。
随着DRAM半导体库存跌至历史最低水平，分析认为，七年来首个“半导体超级周期”正在蓄势待发。
近期，受人工智能热潮推动的HBM（高带宽存储器）需求激增、NVIDIA的供应商选择以及特朗普政府加征的关税等因素影响，全球存储器半导体行业经历了快速变革。然而，所有情况都表明DRAM需求将增加，而供应将出现短缺，因此人们预期，长期超级周期可能会持续数年。
据市场研究公司 TrendForce 的数据，截至今年第三季度末，全球 DRAM 供应商的平均库存为 3.3 周，创历史新低。这与 2018 年半导体超级周期期间 3-4 周的平均库存水平相似。尽管 DRAM 买家的平均库存约为 10 周，但需求依然强劲。
需求激增始于人工智能 (AI)。随着人工智能热潮的兴起，用于 AI 训练和运营的英伟达 (NVIDIA) AI 加速器的价值不断提升，导致搭载于这些加速器中的 HBM 需求激增。HBM 的制造过程类似于公寓，将 DRAM 堆叠捆绑在一起。
三星电子等内存半导体公司已将其 DRAM 生产线转为 HBM 使用，导致 DRAM 整体产量下降。此外，2017 年至 2018 年期间大规模建设的数据中心即将迎来服务器更新换代，这增加了服务器中使用的通用 DRAM 的需求。与 DRAM 一起搭载于服务器的 eSSD 的需求也在激增。
面对供应短缺，半导体公司并未仓促增产，而是持续进行长期投资。一位科技行业人士表示：“特朗普发起的关税政策等不确定性因素太多，所以我们会从长远角度考虑生产设施的投资。”
由于供应跟不上需求，价格飙升。据TrendForce 报道，通用产品“DDR4 8Gb”价格持续上涨，达到6,350美元，创下年内新高。“DDR5 16G”价格为7,535美元，较年初上涨逾40%。据报道，三星电子和SK海力士计划在现有基础上提高DRAM价格。
预计这种情况将持续一段时间。摩根士丹利预测，本轮半导体周期的顶峰将在2027年到来，预计繁荣期将持续一年以上。证券行业预测，三星电子和SK海力士今年第三季度的营业利润将超过10万亿韩元。KB证券分析师金东元表示：“三星电子被认为是半导体复苏周期的最大受益者，因为它可以通过扩建平泽工厂，确保从HBM到DRAM和NAND的业内最大产能。”
内存半导体的短缺反而成了对抗特朗普政府半导体关税的武器。一位科技行业人士表示：“如果特朗普设定高额的半导体关税，在DRAM半导体需求已经不足的情况下，美国企业将不得不以更高的价格购买。”
“我们预计外资将继续流入韩国芯片股，”Allspring Global Investments的投资组合经理Gary Tan表示。“围绕这些公司的乐观情绪的最终推动力，仍然是美国大规模的人工智能基础设施建设，各大科技公司公布的重大资本支出计划为其提供了支撑。”
全球领先的AI处理器制造商英伟达继续大量采购最先进的HBM芯片，随着AMD和博通公司的AI加速器赢得更多客户，这些公司预计也将加大采购力度。
Tan还表示，随着中国AI芯片越来越多地采用HBM，其不断增长的需求应该会带来额外的利好。
与此同时，围绕传统DRAM和NAND芯片的悲观情绪如今正在消散。今年早些时候，就在人工智能热潮引发芯片股大幅上涨之际，谨慎的权威人士还曾警告称，其它半导体领域正因智能手机和汽车市场的疲软而受到冲击。
但在芯片制造商竞相将产能转移到利润更丰厚的HBM后，传统存储芯片预计将在2026年出现供应短缺。这应该会支撑DRAM和NAND的价格。此外，美联储降息可能有助于支撑美国这个全球最大经济体的增长，从而刺激芯片销售。
“随着美联储开启宽松周期，人工智能芯片股的势头正在复苏，” 斐波那契全球资产管理私人有限公司（Fibonacci Asset Management Global Pte．）首席执行官Jung In Yun表示。“预计韩国企业将持续获得外国基金的资金流入，因为它们的估值比美国企业更便宜。”
即使本月股价上涨了24%，三星电子的预期市盈率仍仅为14倍，而SK海力士的股价本月飙升了33%，市盈率仅为7倍。相比之下，美国主要芯片制造商的市盈率约为26倍。
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